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CNT公司PECVD设备主要由全真空专用不锈钢腔体，分子泵高真空系统，电源，生长机体载体及温控系统，独立排气和生长压力调节系统，冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。

参数名称	单位	配置
沉积类型		二氧化硅，氮化硅，类金刚石等
电源		射频电源，带正向功率和反射功率计指示，带匹配器
加热系统		平板式双反应室系统，带加温和匀气系统
工作温度	℃	100~600℃
基片台尺寸	(φ×H)mm	1英寸、二英寸、三英寸、四英寸
基片台转速		转速0-20RPM
控温精度	℃	±1
极限真空	pa	8.0×10-5
密封系统		磁流体密封
水冷、气路系统		冷却水循环机、无噪声气泵
报警及保护		对缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警及相应保护措施
真空系统（选配）	真空系列	单级机械泵、扩散泵机组、分子泵
	工作腔体	不锈钢
	气氛系统	浮子流量计、进口、国产质量流量计
	记录装置	进口、国产无纸记录仪
备注：西尼特可根据阁下要求提供各种非标产品的设计制造，欢迎来函、来电咨询！ 24小时热线：400-668-6260 18610138965 Fax:010-51418223 cntdl@sina.com http://www.cimitdl.com