941C8W2P2K-F (2.2UF 800V)美国CDE无感电容
型 号: 941C8W2P2K-F
电容量: 2.2μF
宽 度: mm
高 度: mm
长 度: mm
线 径: mm
代表性等效串联电阻: mΩ
代表性等效串联电感: nH
电压上升速率: V/μs
峰值电流: A
反向电流峰值: A |
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941C型 耐高电压上升速率 聚丙烯箔膜电容器
用途:
941C 扁平型箔膜电容器 采用聚丙烯和双面金属.
具有自愈性,耐高尖锋电流及高电压的上升速率.
具有低等效串联电阻的特性,可以耐非常高的频率和电压.
特点:
低等效串联电阻及等效串联电感.
适合用在高频率的产品.
可承受高电压.
可承受高的电压上升速率.
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结构图:
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本公司主要经营美国CDE电容全系列产品:
部分常用CDE电容系列如下,其他更多产品请来电咨询0755-83253360 13510286172 鲍先生
无感电容:
941C系列:941C12P1K-F 941C12P15K-F 941C12P22K-F 941C12P33K-F 941C12P47K-F
930C系列:930C12W2K-F 930C12W3K-F 930C12W3-3K-F 930C4W2K-F 930C2W30J-F 930C2W30-1J-F
SCT型IGBT突波吸收盒:
SCT474K122D3B25-F SCT474K102D3B25-F SCT474K601A3B25-F SCT334K162D3B25-F SCT334K202D3B25-F
SCMT型 单个或双个IGBT突波吸收密封盒装电容器:
SCMT105K601H5N29-F SCMT474K122H8P29-F SCMT334K122H8P28-F SCMT205K122H1P29-F
UNL型 镀金属聚丙烯电解薄膜电容器:
UNL10W10KS-F UNL12W7P5K-F UNL8W15KS-F UNL9W13P5K-F UNL5W35KS-F UNL6W30K-F
DCMCE85 oC螺栓式铝电解电容:
DCMCE1647 DCMCE1649 DCMCE1669 DCMCE1671 DCMCE1654
突波吸收和射频设备,云母电容器:CD16 & CDV16
标准封装 云母电容:CD10,CD15,CD19,CD30,CD42,CDV19,CDV30型
高频 云母电容器 :CD17, CD18 & CDV18