产品介绍 :
- 一单元IGBT驱动板,内置1路IGBT驱动
- 可驱动300A 1700V以内1只单管的各品牌IGBT模块
- 驱动板自身设置辅助电源,只需提供主控板的15V电源即可使用。
- 变压器调制模式传递PWM信号,工作占空比0-100%。
- IGBT的栅极充电和放电速度可分别调节。
- 短路软关断保护,可根据需要设定IGBT的短路阈值、保护盲区时间、软关断的斜率。
- 有高低两个故障信号输出,用户随意选择。绝缘电压4000V。
- 应用于:UPS电源、逆变器、变频器、、伺服系统 电焊机、 感应加热等
参数:
参 数 |
符号 |
测 试 条 件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
输入低电平信号 |
Vil |
|
0 |
|
2.5 |
V |
输入高电平信号 |
Vih |
|
10 |
|
15 |
输入禁止电平 |
Vino |
|
2.6 |
|
9.9 |
输入信号电流 |
Ii |
高电平电流或低电平电流 |
|
3 |
|
mA |
输出脉冲电压 |
Voh |
|
|
15 |
|
V |
Vol |
|
-8.5 |
|
输出最大峰值电流 |
Iop |
充电或放电峰值电流 |
|
8 |
|
A |
最大输出电荷 |
Qout |
(参见本表下的图线) |
|
3 |
|
μC |
驱动电阻 |
Rg |
用户设置,不可过小 |
2.2 |
|
|
Ω |
工作频率 |
Fop |
(参见本表下的图线) |
0 |
|
100 |
KHz |
占空比 |
δ |
|
0 |
|
100 |
% |
最小工作脉宽 |
Tonmin |
CL=100nF |
|
0.5 |
|
μS |
上升延迟 |
Trd |
Rg=2.2Ω |
|
0.3 |
0.5 |
μS |
下降延迟 |
Tfd |
|
0.5 |
0.7 |
耦合电容 |
Cps |
初级与任一次级间的分布电容 |
|
12 |
|
pF |
绝缘电压 |
VISO |
初次级间、次级间 50Hz/1 min |
|
4000 |
|
Vrms |
共模瞬态抑制 |
CMR |
|
|
70 |
|
KV/μS |
输入电源
参 数 |
符号 |
测 试 条 件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
输入电压(2) |
Vp |
可共用系统的主控板电源Vcc |
14.5 |
15 |
15.5 |
V |
输入电源电流(1) |
Id |
Cl=0 |
|
55 |
|
mA |
Fop=30KHz,Cl=120nF |
200 |
工作条件
环境温度 |
符号 |
测 试 条 件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
工作温度 |
Top |
|
-30 |
|
70 |
℃ |
存储温度 |
Tst |
|
-40 |
|
120 |
℃ |
短路保护特性参数
参 数 |
符号 |
测 试 条 件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
保护动作阈值(1) |
Vn |
用户设置,典型值为缺省值 |
|
6 |
|
V |
保护盲区(2) |
Tblind |
用户设置,最小值为缺省值 |
2 |
|
|
μS |
软关断时间(3) |
Tsoft |
用户设置,最小值为缺省值 |
6.5 |
|
|
μS |
故障信号延迟 |
Tfault |
|
|
0.5 |
|
μS |
故障信号输出电流 |
Ifault |
低电平报警信号 |
|
10 |
|
mA |
注意:
1 检测到IGBT集电极的电位高于保护动作阈值后到开始降栅压的时间。盲区时间Tblind可由电容Cblind调整,一般可用缺省值。 因为各种尖峰干扰的存在,为避免频繁的保护影响开关电源的正常工作,设立盲区是很有必要的。
2 驱动脉冲电压降到0电平的时间。软关断时间Tsoft可由电容Csoft调整,一般可用缺省值。 软关断开始的时刻,驱动板输出高低两个电平报警信号,由用户主控板处理。
3.触发过流保护动作时的 IGBT的导通压降。阈值电压Vn可以由电阻Rn调整。 当IGBT的电流过大,集电极对发射极的电压达到阈值电压时,驱动器启动内部的保护机制。
1、红色的元器件是直接与用户应用有关的。
2、Jps,输入电源与输入输出信号插座,其中 . 1、2脚:与主控板的15V电源连接,也可以另接独立的15V电源。1脚正极,2脚负极。 . 3 脚 : 空脚。 . 4 脚 :输入PWM信号。 . 5 脚 :接控制地。5脚通过板上的驱动器TC962A与Jp的2脚相连。 . 6 脚 :高电平故障信号输出端Aoh,正常时输出接近于零的低电平,故障时输出接近15V的高电平。 . 7 脚 :低电平故障信号输出端Aol,正常时输出高电平,故障时输出接近零的低电平。
3、J4是驱动输出插座。
参数设置说明
1. 阈值电压Vn可由电阻Rn设定,关系大致是Rn/Vn(KΩ/V)=∞/6,100/5.4,68/5.1,47/4.8,33/4.4,27/4.1,22/3.8,18/3.5。
2. 盲区时间Tblind可由电容Cblind调整。
3. 软关断时间Tsoft可由电容Csoft调整。
4. 栅极驱动电阻Rg在板上有2个并联位置,预焊的33Ω是为厂家测试用的,用户应根据自己的情况换接合适的电阻,一般可用2只2W的金属膜电阻,如RYG2型2W电阻,并联后的总电阻值不能小于2.2Ω。
5. 如果用户需要分别控制充电和放电的速度,可将驱动电路板上两只Rg电阻的并联短路线割断,短路线位于电路板背面,如上面图中的红线所示,约0.6mm宽,同时在断开处接一只2A/40V的肖特基二极管,并根据需要选择2只Rg电阻。 |