简要说明：等离子刻蚀机是在真空状态下，利用射频辐射使得氧、氩、氮、四氟化碳等气体生成具有高反应活性的离子与器件等反应形成挥发性化合

 等离子体刻蚀设备应用于刻蚀硅片边沿的硅磷层，扩散过程中，不但硅片的表面扩散上了磷，硅片边缘也扩散上了磷，这会导致硅片正反两极通过边缘导通短路。所以必须将硅片边缘这层被扩散上的硅磷去掉，大概去除1到3个微米。硅片在刻蚀机内水平旋转，通入的反应气体为四氟化碳、氧、和氮气。其原理是在放电状态下反应气体四氟化碳、氧气和硅片边缘的硅化合物发生反应生成硅，反应形成粉未和气态物质后随气流一起被抽走等。