当前位置:首页 >> 产品展示 >> 电子 >> 三极管 >>B649
B649放大图片

产品价格:160   元(人民币)
上架日期:2012年12月1日
产地:深圳
发货地:深圳  (发货期:当天内发货)
供应数量:不限
最少起订:1K
浏览量:138
  暂无相关下载
其他资料下载:

         
深圳市新志佳半导体有限公司

点击这里给我发消息
  详细说明  
品牌:新志佳产地:深圳
价格:160人民币/K规格:TO-126

简要说明:三极管

详细介绍:

  

深圳市新志佳半导体有限公司生产三极管.产品广泛应用于:节能灯、玩具、充电器、电源、镇流器、收录机等 等。还可根据客户需求,生产研制最佳产品。长备充足货源,无论国内外需求厂家,我司都能提供准时。以下是产品规格.参数.介绍.

    饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

    晶体三极管发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。PNP型三极管发射区“发射”的是空穴,移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区“发射”的是自由电子,移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管均有PNP型和NPN型两种类型.


加工定制: 品牌: HIT
型号: B649 应用范围: 放大
材料: 硅(Si) 极性: NPN型
击穿电压VCEO: 1(V) 集电极最大允许电流ICM: 1(A)
集电极最大耗散功率PCM: 1(W) 截止频率fT: 1(MHz)
结构: 点接触型 封装形式: TO-126
封装材料: 塑料封装

该公司其他信息
最新供求信息 企业产品推荐

暂无产品
  在线询盘/留言 请仔细填写准确及时的联系到你!  
您的姓名:
* 预计需求数量: *
联系手机:
*  移动电话或传真:
电子邮件:
* 所在单位:
咨询内容:
*
           您要求厂家给您提供:
  • 规格,型号
  • 价格及付款条件
  • 产品目录
  • 最低订货量
  • 运送资料
  • 提供样本
  • 库存情况
  • 包装材料

1关于我们 |  联系我们 |  广告合作 |  付款方式 | 使用帮助 | 本站诚聘 | 代理加盟
电话:0571-87774297(杭州) 传真:0571-87774298(杭州)
网站经营许可证:浙B2-20080178