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产品参数 | |||
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品牌 | AO | ||
封装 | DFN3x3A EP2 | ||
批号 | 20 | ||
数量 | 30000 | ||
对无铅要求的达标情况 | 无铅 | ||
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | ||
产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | ||
FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) | ||
FET 功能 | 逻辑电平门 | ||
漏源电压(Vdss) | 30V | ||
功率 - 最大值 | 1.4W | ||
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | ||
安装类型 | 表面贴装型 | ||
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 | ||
可售卖地 | 全国 | ||
类型 | 分立半导体产品 | ||
型号 | AON7932 |
品牌: | AO |
型号: | AON7932 |
封装: | DFN3x3A EP2 |
批号: | 20 |
数量: | 30000 |
对无铅要求的达标情况: | 无铅 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
系列: | - |
FET 类型: | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | 6.6A,8.1A |
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): | 20 毫欧 @ 6.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值): | 6.5nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): | 460pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 1.4W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-WDFN 裸露焊盘 |