.jpg "IR场效应管IRLL3303MOSFETN-CH30V4.6ASOT223")
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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | IR | ||
| 封装 | SOT-223 | ||
| 批号 | 20 | ||
| 数量 | 389 | ||
| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） | ||
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | ||
| 系列 | HEXFET? | ||
| FET 类型 | N 通道 | ||
| 漏源电压（Vdss） | 30V | ||
| Vgs（最大值） | ±16V | ||
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | ||
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | ||
| 安装类型 | 表面贴装型 | ||
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 类型 | 分立半导体产品 | ||
| 型号 | IRLL3303 | ||
技术参数
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRLL3303 |
| 封装： | SOT-223 |
| 批号： | 20 |
| 数量： | 389 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | HEXFET? |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | 4.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： | 31 毫欧 @ 4.6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）： | 50nC @ 10V |
| Vgs（最大值）： | ±16V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： | 840pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值）： | 1W（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
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