.jpg "DIODES场效应管2N7002W-7-FMOSFET60V200mW")
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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | DIODES | ||
| 封装 | SOT-23 | ||
| 批号 | 20 | ||
| 数量 | 60000 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | SOT-323-3 | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 115 mA | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 13.5 Ohms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V | ||
| 20 V | |||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 200 mW | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 系列 | 2N7002W | ||
| 配置 | Single | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 80 mS | ||
| 高度 | 1 mm | ||
| 长度 | 2.2 mm | ||
| 晶体管类型 | Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
| 典型关闭延迟时间 | 7 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 1.35 mm | ||
| 宽度 | 6 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | 2N7002W-7-F | ||
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技术参数
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | 2N7002W-7-F |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 20 |
| 数量： | 60000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-323-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 115 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 13.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 200 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | 2N7002W |
| 配置： | Single |
| 正向跨导 - 最小值： | 80 mS |
| 高度： | 1 mm |
| 长度： | 2.2 mm |
| 晶体管类型： | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 典型关闭延迟时间： | 7 ns |
| 典型接通延迟时间： | 1.35 mm |
| 宽度： | 6 mg |
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