DIODES场效应管BSS138-7-FMOSFET300mW50VDSS
DIODES场效应管BSS138-7-FMOSFET300mW50VDSS
产品价格:¥0.0880(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
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    商品详情
      产品参数
      品牌DIODES
      封装SOT-23
      批号20
      数量88000
      制造商Diodes Incorporated
      产品种类MOSFET
      RoHS
      安装风格SMD/SMT
      封装 / 箱体SOT-23-3
      通道数量1 Channel
      晶体管极性N-Channel
      Vds-漏源极击穿电压50 V
      Id-连续漏极电流200 mA
      Rds On-漏源导通电阻3.5 Ohms
      Vgs - 栅极-源极电压10 V
      Vgs th-栅源极阈值电压500 mV
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 150 C
      Pd-功率耗散300 mW
      配置Single
      通道模式Enhancement
      高度1 mm
      长度2.9 mm
      系列BSS138
      晶体管类型1 N-Channel
      宽度1.3 mm
      正向跨导 - 最小值100 mS
      典型关闭延迟时间20 ns
      典型接通延迟时间20 ns
      单位重量28 mg
      可售卖地全国
      型号BSS138-7-F


      技术参数

      品牌:DIODES
      型号:BSS138-7-F
      封装:SOT-23
      批号:20
      数量:88000
      制造商:Diodes Incorporated
      产品种类:MOSFET
      RoHS:
      安装风格:SMD/SMT
      封装 / 箱体:SOT-23-3
      通道数量:1 Channel
      晶体管极性:N-Channel
      Vds-漏源极击穿电压:50 V
      Id-连续漏极电流:200 mA
      Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms
      Vgs - 栅极-源极电压:10 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 150 C
      Pd-功率耗散:300 mW
      配置:Single
      通道模式:Enhancement
      高度:1 mm
      长度:2.9 mm
      系列:BSS138
      晶体管类型:1 N-Channel
      宽度:1.3 mm
      正向跨导 - 最小值:100 mS
      典型关闭延迟时间:20 ns
      典型接通延迟时间:20 ns
      单位重量:28 mg
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