AOSAOI4130MOSFETN-CH60V6.5ATO251A
AOSAOI4130MOSFETN-CH60V6.5ATO251A
产品价格:¥0.1650(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
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    商品详情
      产品参数
      品牌AOS
      封装TO251A
      批号20
      数量30000
      对无铅要求的达标情况无铅
      湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
      产品族分立半导体产品
      系列晶体管 - FET,MOSFET - 单
      FET 类型N 通道
      漏源电压(Vdss)60V
      Vgs(最大值)±20V
      功率耗散(最大值)2.5W(Ta),52W(Tc)
      工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
      安装类型通孔
      封装/外壳TO-251-3 短截引线,IPak
      可售卖地全国
      类型停產
      型号AOI4130


      技术参数

      品牌:AOS
      型号:AOI4130
      封装:TO251A
      批号:20
      数量:30000
      对无铅要求的达标情况:无铅
      湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
      类别:停產
      产品族:分立半导体产品
      系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单
      FET 类型:N 通道
      漏源电压(Vdss):60V
      电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Ta),30A(Tc)
      驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
      不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V
      不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA
      不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):34nC @ 10V
      Vgs(最大值):±20V
      不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 30V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):2.5W(Ta),52W(Tc)
      工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      安装类型:通孔
      封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak
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