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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | VISHAY | ||
| 封装 | SOP8 | ||
| 批号 | 23 | ||
| 数量 | 4855 | ||
| 制造商 | Vishay | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | SO-8 | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| 晶体管极性 | P-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 11.4 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 24 mOhms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V | ||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V | ||
| Qg-栅极电荷 | 50 nC | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 5 W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 系列 | SI4 | ||
| 晶体管类型 | 1 P-Channel | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 23 S | ||
| 下降时间 | 12 ns | ||
| 上升时间 | 8 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | ||
| 零件号别名 | SI4435DDY-GE3 | ||
| 单位重量 | 187 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | SI4435DDY-T1-GE3 | ||
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