AOS场效应管AOT1608LMOSFETN-CH60V11ATO220
AOS场效应管AOT1608LMOSFETN-CH60V11ATO220
产品价格:¥0.1650(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
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    商品详情
      产品参数
      品牌AOS
      封装TO-220
      批号20
      数量120000
      描述MOSFET N-CH 60V 11A TO220
      湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
      原厂标准交货期18 周
      详细描述通孔-N-通道-60V-11A(Ta)-140A(Tc)-2.1W
      数据列表AO(T
      B)1608L;
      标准包装TO220 Pkg Drawing;
      包装50
      零件状态管件
      产品族分立半导体产品
      系列晶体管 - FET,MOSFET - 单个
      FET 类型N 通道
      技术MOSFET(金属氧化物)
      漏源电压(Vdss)60V
      25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Ta),140A(Tc)
      不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250μA
      Vgs(最大值)±20V
      功率耗散(最大值)2.1W(Ta),333W(Tc)
      工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
      安装类型通孔
      供应商器件封装TO-220
      封装/外壳TO-220-3
      可售卖地全国
      类型有源
      型号AOT1608L


      技术参数

      品牌:AOS
      型号:AOT1608L
      封装:TO-220
      批号:20
      数量:120000
      描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO220
      对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
      湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
      原厂标准交货期:18 周
      详细描述:通孔-N-通道-60V-11A(Ta)-140A(Tc)-2.1W(Ta)-333W(Tc)-TO-220
      数据列表:AO(T,B)1608L;
      标准包装:TO220 Pkg Drawing;
      包装:50
      零件状态:管件
      类别:有源
      产品族:分立半导体产品
      系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
      其它名称:-
      FET 类型:N 通道
      技术:MOSFET(金属氧化物)
      漏源电压(Vdss):60V
      25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Ta),140A(Tc)
      驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
      不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.6 毫欧 @ 20A,10V
      不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA
      不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):84nC @ 10V
      Vgs(最大值):±20V
      不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3690pF @ 25V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):2.1W(Ta),333W(Tc)
      工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      安装类型:通孔
      供应商器件封装:TO-220
      封装/外壳:TO-220-3
    在线询盘/留言
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