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产品参数 | |||
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AOS 场效应管 AO4614B MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC 品牌 | AOS | ||
封装 | SOP-8 | ||
批号 | 20 | ||
数量 | 25000 | ||
制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ||
FET 类型 | N 和 P 沟道 | ||
FET 功能 | 逻辑电平门 | ||
漏源电压(Vdss) | 40V | ||
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A,5A | ||
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250μA | ||
功率 - 最大值 | 2W | ||
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | ||
安装类型 | 表面贴装型 | ||
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | ||
可售卖地 | 全国 | ||
类型 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - | ||
型号 | AO4614B |
品牌: | AOS |
型号: | AO4614B |
封装: | SOP-8 |
批号: | 20 |
数量: | 25000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
制造商: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A,5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 30 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): | 10.8nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 650pF @ 20V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |