diodes场效应管DMP2130LDM-7MOSFETP-Channel
diodes场效应管DMP2130LDM-7MOSFETP-Channel
产品价格:¥0.0880(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
  • 品牌:
  • 最小起订量:1
  • 免费会员
    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
    企业证件:通过认证

    商铺名称:深圳市华裕辉电子有限公司

    联系人:蔡少滨(先生)

    联系手机:

    固定电话:

    企业邮箱:szhuayuhui@163.com

    联系地址:深圳市福田区新亚洲电子市场二期N1B028

    邮编:518000

    联系我时,请说是在五金机电网上看到的,谢谢!

    商品详情
      产品参数
      品牌diodes
      封装SOT-23-6
      批号20
      数量87000
      制造商Diodes Incorporated
      产品种类MOSFET
      RoHS
      安装风格SMD/SMT
      封装 / 箱体SOT-26-6
      晶体管极性P-Channel
      通道数量1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压20 V
      Id-连续漏极电流3.4 A
      Rds On-漏源导通电阻80 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压- 12 V
      12 V
      Vgs th-栅源极阈值电压1.25 V
      Qg-栅极电荷7.3 nC
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 150 C
      Pd-功率耗散1.25 W
      通道模式Enhancement
      配置Single
      下降时间20 ns
      高度0.6 mm
      长度1.6 mm
      上升时间20 ns
      系列DMP2130
      晶体管类型38 ns
      典型关闭延迟时间12 ns
      典型接通延迟时间1.2 mm
      宽度15 mg
      可售卖地全国
      型号DMP2130LDM-7


      技术参数

      品牌:diodes
      型号:DMP2130LDM-7
      封装:SOT-23-6
      批号:20
      数量:87000
      制造商:Diodes Incorporated
      产品种类:MOSFET
      RoHS:
      安装风格:SMD/SMT
      封装 / 箱体:SOT-26-6
      晶体管极性:P-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:20 V
      Id-连续漏极电流:3.4 A
      Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, 12 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:1.25 V
      Qg-栅极电荷:7.3 nC
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 150 C
      Pd-功率耗散:1.25 W
      通道模式:Enhancement
      配置:Single
      下降时间:20 ns
      高度:0.6 mm
      长度:1.6 mm
      上升时间:20 ns
      系列:DMP2130
      晶体管类型:38 ns
      典型关闭延迟时间:12 ns
      典型接通延迟时间:1.2 mm
      宽度:15 mg
    在线询盘/留言
  • 0571-87774297