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产品参数 | |||
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AOS美国万代 场效应管 AOD603A MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L 品牌 | AOS美国万代 | ||
批号 | 2021 | ||
数量 | 10000000 | ||
制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ||
FET 类型 | N 和 P 沟道,共漏 | ||
FET 功能 | 逻辑电平门 | ||
漏源电压(Vdss) | 60V | ||
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A,3A | ||
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250μA | ||
功率 - 最大值 | 2W | ||
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | ||
安装类型 | 表面贴装型 | ||
封装/外壳 | TO-252-5,DPak(4 引线 接片),TO-252AD | ||
可售卖地 | 全国 | ||
类型 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - | ||
型号 | AOD603A |