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设备介绍： 本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
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开启式真空管式炉技术参数 |
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石英管尺寸 |
Φ100*L1200mm |
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加热元件 |
电阻丝 |
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测温元件 |
N型热电偶 |
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加热区/恒温区 |
440mm/200mm |
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工作温度 |
≤1100℃ |
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控温模式 |
PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制 |
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控温精度 |
±1℃ |
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电功率 |
AC220V/50HZ/3KW |
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质量供气系统 |
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标准量程 |
50-500ml/min |
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压力表测量范围 |
-0.1Mpa～0.15Mpa |
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极限压力 |
3MPa |
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针阀 |
316不锈钢 |
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电功率 |
AC220V/50HZ/20W |
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响应时间 |
气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec |
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重复精度 |
±0.2% |
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真空系统参数 |
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工作电电压 |
220V±10% 50~60HZ |
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功率 |
400W |
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极限真空 |
4X10-1Pa |
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进/排气口口径 |
KF25 |
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射频电源 |
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信号频率 |
13.56 MHz±0.005% |
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功率输出范围 |
5W-500W |
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供电电压 |
单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ |
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整机效率 |
>=70% |
