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产品介绍
芯能推出的IGBT模块采用沟槽结构的场截止技术(Trench Field Stop),沟槽元胞结构大大增加器件的功率密度,通过超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process)在芯片集电极端使用电场截止型(Field Stop)结构,从而显著降低器件的饱和导通压降(Vce(sat))和关断损耗(Eoff),对比上一代产品,器件功率损耗(导通损耗与开关损耗之和)降低了33%,配合搭载独立的等电压快速恢复二极管(FRD),适宜于各类开关应用。 模块采用标准封装,产品在严酷的环境下具有稳定一致的电参数和牢固的可靠性。
特点与优势:
低饱和导通压降(Vce(sat));
低开关损耗(Ets);
高击穿电压(BVces);
高短路电流耐量(Icsc);
电参数重复性与一致性;
高可靠性。
IGBT模块
XNG15PI24TL1S3
XNG25PI24TL2S3
XNG25PI24TC3AS3
XNG25PI24TC3S3
XNG40PI24TL2S3
XNG40PI24TC3AS3
XNG40PI24TC3S3
XNG50PI24TC4AS5
XNG50PI24TC4S5
XNG75PI24TC4AS5
XNG75PI24TC4S5
XNG100PI24TC4AS5
XNG100PI24TC4S5
XNG50D24TC3S6
XNG150D24KC4A5
XNG200D24KC4A5
XNG200D13TC4S3
XNG50B24TC1S5?
XNG75B24TC1S5
XNG100B24TC1S5
XNG150B24TC1S5
XNG200B24KC2S5
XNG200B24UC2S8
XNG300B24KC2S5
XNG300B24UC2S8
XNG450B24KC2S5
XNG200B34KC2S8
XNG300B34KC2S8
XNG300B24KC5A5
XNG450B24KC5A5
XNG600B24KC5A5
XNG300B34KC5A8
XNG450B34KC5A8
XNG600B34KC5A8
XNG300D13TH4A3
XNG400D13TH4A3
XNG400D13TH6A3
XNG660D13TH5A3