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- 提高工作温度Tvj op
- 低开关损耗
- 低 VCEsat
- Tvj op = 150°C
- 4 kV 交流 1 分钟绝缘
- 封装的 CTI > 400
- 高爬电距离和电气间隙
- 铜基板
- UL 认证
- 高功率密度
- 标准封装
IGBT模块FZ1200R17HE4P晶体管
FZ1200R12HE4PHPSA1
北京京诚宏泰科技有限公司供应IGBT模块FZ1200R17HE4P晶体管
大功率单管IGBT模块FZ1200R17HE4P
产品特征描述：
产品优势：
IGBT 晶体管 PP IHM I XHP 1.7KV
IGBT 模块 沟槽型场截止 单开关 1700 V 1200 A 底座安装 模块
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 单开关
电压 - 集射极击穿 1700 V
电流 - 集电极 (Ic) 1200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on) 2.3V @ 15V，1200A
电流 - 集电极截止 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)195 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
工作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 底座安装
封装/模块
供应商器件封装 模块
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块FZ1200R17HE4P晶体管
优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
北京京诚宏泰科技有限公司销售
IGBT模块FZ1200R17HE4P晶体管
特点：
击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉
FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1200R17KF4
FZ1200R17HE4
北京京诚宏泰科技有限公司
FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
北京京诚宏泰科技有限公司
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2
FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
北京京诚宏泰科技有限公司
FZ1200R17KE3_S1
FZ1200R17KF4
FZ3600R17KE3
FZ3600R17KE3_S1
FZ1800R16KF4
FZ2400R17KE3_B9
FZ2400R17KE3_B9_S1
FZ800R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2_S1
FZ2400R17KE3_B2
北京京诚宏泰科技有限公司
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4
北京京诚宏泰科技有限公司供应IGBT模块FZ1200R17HE4P晶体管
FZ1800R17HP4_ B9
FZ2400R17HP4_ B9
FZ2400R17HP4
FZ3600R17HP4
FD1000R33HE3-K
FZ1500R33HE3
北京京诚宏泰科技有限公司
FZ1500R33HE3
FZ1200R33HE3
FZ1000R33HE3
FZ1000R33HL3
FZ1500R33HL3
FZ1200R45HL3_S7
北京京诚宏泰科技有限公司供应IGBT模块FZ1200R17HE4P晶体管
DD1200517H4_B2
DD800S17H4_B2
DD1000S33HE3
DD500S33HE3
DD1200S12H4
